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La détermination modèle des paramètres fondamentaux de la diode Schottk; à savoir la hauteur de la barrière, le facteur d''idéalité, et la résistance série joue un rôle important dans la conception et la fabrication des dispositifs semi-conducteurs telles que les photopiles. Notre travail consiste à extraire par une des méthodes évolutionnaires ces paramètres modélisant les données expérimentales en utilisant les algorithmes génétiques (AG) qui connaissent actuellement un essor considérable dans le domaine de résolution des problèmes complexes d''optimisation, grâce à leur universalité, fiabilité et robustesse. Nous nous sommes particulièrement concentrés sur le développement d''un modèle analytique optimisé de la caractéristiques I-V en fonction de la température en utilisant la technique évolutionnaire AG. Le bon accord entre les résultats expérimentaux et les résultats obtenus par notre approche a montré l''applicabilité des AGs à mettre en évidence certains paramètres physiques critiques des cellules photovoltaïques pour une large gamme de températures.