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Conception améliorée d'un miroir de courant CMOS à faible puissance

About Conception améliorée d'un miroir de courant CMOS à faible puissance

Avec l'avènement des systèmes électroniques portables et des systèmes de communication mobiles, la conception de circuits en mode mixte à basse tension et à faible consommation a pris de l'importance. Pour le fonctionnement de ces systèmes, tels que les appareils auditifs, les stimulateurs cardiaques implantables, les téléphones cellulaires et les terminaux multimédias portables, etc. Ils nécessitent une faible dissipation d'énergie afin d'avoir une durée de vie et un poids raisonnables. La conception de circuits analogiques à haute performance devient de plus en plus difficile en raison de la tendance persistante à la réduction des tensions d'alimentation. La topologie de miroir de courant CMOS à faible tension et à niveau décalé a été sélectionnée et optimisée pour obtenir les résultats souhaités en variant les dimensions des transistors et les tensions de polarisation. La gamme dynamique a été améliorée par un facteur de 800µA et la bande passante a été améliorée de plus de 189 MHz par rapport au travail de référence. La dissipation de puissance a été améliorée de plus de 40%.

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  • Language:
  • French
  • ISBN:
  • 9786207033867
  • Binding:
  • Paperback
  • Pages:
  • 104
  • Published:
  • January 9, 2024
  • Dimensions:
  • 150x7x220 mm.
  • Weight:
  • 173 g.
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Description of Conception améliorée d'un miroir de courant CMOS à faible puissance

Avec l'avènement des systèmes électroniques portables et des systèmes de communication mobiles, la conception de circuits en mode mixte à basse tension et à faible consommation a pris de l'importance. Pour le fonctionnement de ces systèmes, tels que les appareils auditifs, les stimulateurs cardiaques implantables, les téléphones cellulaires et les terminaux multimédias portables, etc. Ils nécessitent une faible dissipation d'énergie afin d'avoir une durée de vie et un poids raisonnables. La conception de circuits analogiques à haute performance devient de plus en plus difficile en raison de la tendance persistante à la réduction des tensions d'alimentation. La topologie de miroir de courant CMOS à faible tension et à niveau décalé a été sélectionnée et optimisée pour obtenir les résultats souhaités en variant les dimensions des transistors et les tensions de polarisation. La gamme dynamique a été améliorée par un facteur de 800µA et la bande passante a été améliorée de plus de 189 MHz par rapport au travail de référence. La dissipation de puissance a été améliorée de plus de 40%.

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