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Design melhorado de espelho de corrente CMOS de baixa potência

About Design melhorado de espelho de corrente CMOS de baixa potência

Com o advento dos sistemas de comunicação electrónicos e móveis portáteis, a conceção de circuitos de modo misto de baixa tensão e baixa potência ganhou importância. Para o funcionamento de tais sistemas, como aparelhos auditivos, pacemakers cardíacos implantáveis, telemóveis e terminais multimédia portáteis, etc., a bateria é a principal fonte de energia. Estes sistemas exigem uma baixa dissipação de energia, de modo a terem uma duração e um peso razoáveis. A conceção de circuitos analógicos de elevado desempenho está a tornar-se cada vez mais difícil com a tendência persistente para tensões de alimentação reduzidas. A topologia de espelho de corrente CMOS de baixa tensão com mudança de nível foi selecionada e optimizada para obter os resultados desejados, variando as dimensões dos transístores e as tensões de polarização. A gama dinâmica melhorou por um fator de 800µA e a largura de banda melhorou em mais de 189 MHz em comparação com o trabalho de referência. A dissipação de energia melhorou em mais de 40%.

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  • Language:
  • Portuguese
  • ISBN:
  • 9786207033881
  • Binding:
  • Paperback
  • Pages:
  • 104
  • Published:
  • January 9, 2024
  • Dimensions:
  • 150x7x220 mm.
  • Weight:
  • 173 g.
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Description of Design melhorado de espelho de corrente CMOS de baixa potência

Com o advento dos sistemas de comunicação electrónicos e móveis portáteis, a conceção de circuitos de modo misto de baixa tensão e baixa potência ganhou importância. Para o funcionamento de tais sistemas, como aparelhos auditivos, pacemakers cardíacos implantáveis, telemóveis e terminais multimédia portáteis, etc., a bateria é a principal fonte de energia. Estes sistemas exigem uma baixa dissipação de energia, de modo a terem uma duração e um peso razoáveis. A conceção de circuitos analógicos de elevado desempenho está a tornar-se cada vez mais difícil com a tendência persistente para tensões de alimentação reduzidas. A topologia de espelho de corrente CMOS de baixa tensão com mudança de nível foi selecionada e optimizada para obter os resultados desejados, variando as dimensões dos transístores e as tensões de polarização. A gama dinâmica melhorou por um fator de 800µA e a largura de banda melhorou em mais de 189 MHz em comparação com o trabalho de referência. A dissipação de energia melhorou em mais de 40%.

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