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Diseño mejorado de espejo de corriente CMOS de bajo consumo

About Diseño mejorado de espejo de corriente CMOS de bajo consumo

Con la llegada de los sistemas electrónicos portátiles y de comunicación móvil, el diseño de circuitos de modo mixto de bajo voltaje y bajo consumo ha cobrado importancia. Para el funcionamiento de estos sistemas, como audífonos, marcapasos cardíacos implantables, teléfonos móviles y terminales multimedia portátiles, etc., la batería es la principal fuente de energía. Requieren una disipación de potencia baja para que la batería tenga una duración y un peso razonables. El diseño de circuitos analógicos de alto rendimiento se está convirtiendo en un reto cada vez mayor con la tendencia persistente hacia la reducción de las tensiones de alimentación. Se ha seleccionado y optimizado la topología de espejo de corriente CMOS de bajo voltaje con desplazamiento de nivel para obtener los resultados deseados variando las dimensiones de los transistores y las tensiones de polarización. El rango dinámico ha mejorado en un factor de 800µA y el ancho de banda ha mejorado en más de 189 MHz en comparación con el trabajo de referencia. La disipación de potencia ha mejorado en más del 40%.

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  • Language:
  • Spanish
  • ISBN:
  • 9786207033850
  • Binding:
  • Paperback
  • Pages:
  • 104
  • Published:
  • January 9, 2024
  • Dimensions:
  • 150x7x220 mm.
  • Weight:
  • 173 g.
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Description of Diseño mejorado de espejo de corriente CMOS de bajo consumo

Con la llegada de los sistemas electrónicos portátiles y de comunicación móvil, el diseño de circuitos de modo mixto de bajo voltaje y bajo consumo ha cobrado importancia. Para el funcionamiento de estos sistemas, como audífonos, marcapasos cardíacos implantables, teléfonos móviles y terminales multimedia portátiles, etc., la batería es la principal fuente de energía. Requieren una disipación de potencia baja para que la batería tenga una duración y un peso razonables. El diseño de circuitos analógicos de alto rendimiento se está convirtiendo en un reto cada vez mayor con la tendencia persistente hacia la reducción de las tensiones de alimentación. Se ha seleccionado y optimizado la topología de espejo de corriente CMOS de bajo voltaje con desplazamiento de nivel para obtener los resultados deseados variando las dimensiones de los transistores y las tensiones de polarización. El rango dinámico ha mejorado en un factor de 800µA y el ancho de banda ha mejorado en más de 189 MHz en comparación con el trabajo de referencia. La disipación de potencia ha mejorado en más del 40%.

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