Issledowanie älektronnyh swojstw splawow Zr(x)Si(1-x)O2

Zdes' my predstawlqem rezul'taty chislennogo analiza twerdyh rastworow ZrxSi1-xO2 (s x= 0-1) dlq predskazaniq nowyh gipoteticheskih tetragonal'nyh soedinenij semejstwa cirkona. Dlq izucheniq strukturnyh i optoälektronnyh swojstw nazwannyh soedinenij my ispol'zowali metod polnoj potencial'noj linearizowannoj dopolnennoj ploskoj wolny (FP-LAPW), osnowannyj na teorii funkcionala plotnosti DFT w priblizhenii GGA, realizowannyj w kode WIEN2k. Vo-perwyh, my izuchili swojstwa soedineniq ZrSiO4, gde poluchennye rezul'taty srawniwaütsq s neskol'kimi teoreticheskimi i äxperimental'nymi issledowaniqmi. Vo-wtoryh, my predskazali nowye gipoteticheskie soedineniq semejstwa ZrSi3O8 i Zr3SiO8, kotorye kristallizuütsq w prostranstwennoj gruppe I41/amd. V lübom sluchae, himicheskaq stabil'nost' izuchennyh splawow byla podtwerzhdena kak äntal'piej obrazowaniq, tak i kogezionnoj änergiej. Krome togo, rezul'taty fononnoj dispersii takzhe ukazywaüt na ätot aspekt. Jelektronnye swojstwa pokazywaüt sil'nuü p-d kowalentnuü gibridizaciü mezhdu Zr i O. Soedinenie Zr3SiO8 demonstriruet shirokij neprqmoj zazor.