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Progetto di specchio di corrente CMOS a bassa potenza migliorato

About Progetto di specchio di corrente CMOS a bassa potenza migliorato

Con l'avvento dei sistemi elettronici portatili e di comunicazione mobile, la progettazione di circuiti in modalità mista a bassa tensione e a basso consumo ha acquisito importanza. Per il funzionamento di questi sistemi, come apparecchi acustici, pacemaker cardiaci impiantabili, telefoni cellulari e terminali multimediali portatili, ecc. la batteria è la principale fonte di alimentazione. Questi sistemi richiedono una bassa dissipazione di potenza per avere una durata e un peso ragionevoli. La progettazione di circuiti analogici ad alte prestazioni sta diventando sempre più impegnativa con la persistente tendenza a ridurre le tensioni di alimentazione. La topologia a specchio di corrente CMOS a bassa tensione è stata selezionata e ottimizzata per ottenere i risultati desiderati variando le dimensioni dei transistor e le tensioni di polarizzazione. La gamma dinamica è migliorata di un fattore di 800µA e la larghezza di banda è migliorata di oltre 189 MHz rispetto al lavoro di riferimento. La dissipazione di potenza è migliorata di oltre il 40%.

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  • Language:
  • Italian
  • ISBN:
  • 9786207033874
  • Binding:
  • Paperback
  • Pages:
  • 104
  • Published:
  • January 9, 2024
  • Dimensions:
  • 150x7x220 mm.
  • Weight:
  • 173 g.
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Description of Progetto di specchio di corrente CMOS a bassa potenza migliorato

Con l'avvento dei sistemi elettronici portatili e di comunicazione mobile, la progettazione di circuiti in modalità mista a bassa tensione e a basso consumo ha acquisito importanza. Per il funzionamento di questi sistemi, come apparecchi acustici, pacemaker cardiaci impiantabili, telefoni cellulari e terminali multimediali portatili, ecc. la batteria è la principale fonte di alimentazione. Questi sistemi richiedono una bassa dissipazione di potenza per avere una durata e un peso ragionevoli. La progettazione di circuiti analogici ad alte prestazioni sta diventando sempre più impegnativa con la persistente tendenza a ridurre le tensioni di alimentazione. La topologia a specchio di corrente CMOS a bassa tensione è stata selezionata e ottimizzata per ottenere i risultati desiderati variando le dimensioni dei transistor e le tensioni di polarizzazione. La gamma dinamica è migliorata di un fattore di 800µA e la larghezza di banda è migliorata di oltre 189 MHz rispetto al lavoro di riferimento. La dissipazione di potenza è migliorata di oltre il 40%.

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